Northrop Grumman nhận $45 triệu USD để sản xuất toàn phần cho hệ thống Gallium nitride

Ngày:02/02/2020  
Uviet.net (02.02.2020): Theo Bộ Quốc phòng Hoa Kỳ. Hãng Northrop Grumman đã nhận được một bản sửa đổi hợp đồng của Hải quân Hoa Kỳ để sản xuất toàn phần cho hệ thống Gallium Nitride cùng phụ tùng cho Chương trình Program Executive Officer Land Systems, Quantico, Virginia.

Gallium nitride (GaN) thường được gọi là tương lai của Vũ khí năng lượng cao. Đây là một hợp chất tinh thể cứng, và vật liệu này nhanh và hiệu quả hơn các vật liệu bán dẫn công suất cao khác.

Các công ty như Northrop Grumman sử dụng cấu trúc độc đáo này để chế tạo các Radar băng thông rộng thế hệ tiếp theo và Radar điều hướng tác chiến điện tử.

GaN tính năng hiệu quả và bền bỉ, khiến nó hoàn hảo để cung cấp năng lượng cho radar và các vệ tinh liên lạc. Đối với các radar của Northrop Grumman, điều đó có nghĩa là nó sẽ giúp theo dõi và phát hiện mối đe dọa tốt hơn.

Northrop Grumman là công ty tiên phong trong việc thiết kế chế tạo các linh kiện tốc độ cao cho các thị trường thương mại mới thành lập và mới nổi, bao gồm các hệ thống không dây di động và băng thông rộng cũng như các ứng dụng hàng không vũ trụ, quốc phòng và khoa học. Northrop Grumman cũng cung cấp các dịch vụ đúc sử dụng các quy trình sản xuất chất bán dẫn silicon, silicon-gecmani, silic-cacbua, gallium nitride, và gallium arsenide và indium phosphide.
Ảnh: Bán dẫn GaN 6-Inch (GaN six-inch wafer)
Northrop Grumman đang sử dụng hàng thập kỷ chuyên môn của mình với công nghệ GaN và các vật liệu tiên tiến khác để trao quyền lực cho các chiến binh để thực hiện các sứ mệnh của họ.

Gali nitrua là một hợp chất hóa học vô cơ, đồng thời cũng là một chất bán dẫn năng lượng. Hợp chất này có thành phần chính gồm hai nguyên tố gali và nitơ, với công thức hóa học được quy định là GaN. GaN là một hợp chất có nhiều ứng dụng, mà thường sử dụng trong các điốt phát sáng kể từ những năm 1990.

Hợp chất này là một vật liệu rất cứng có cấu trúc tinh thể Wurtzite. Mức năng lượng chên lệch khoảng 3,4 eV mang lại đặc tính đặc biệt cho các ứng dụng trong các thiết bị điện cao tần và tần số cao, quang điện tử. Ví dụ, GaN là chất nền làm cho điốt laser màu tím (405 nm) có thể, mà không cần sử dụng tăng tần số phi tuyến lên gấp đôi.